H.SAC陶瓷制品为绿色环保材料,属于微孔洞结构,同单位面积下可多出38%的孔隙率, 极大地增加了与空气接触的散热面积,增强散热效果。同时其热容量和本身蓄热量较小,热量能更快速地向外界传递,本产品主要特色:环保、绝缘抗高压、高效散热,避免滋生EMI问题。
性能特点:
- 良好的散热能力、导热率高、红外辐射率大、膨胀系数低;
- 可耐大电流、耐高压强、防漏 穿、无噪音、不会与MOS等功率管产生耦合寄生电容,并且简化滤波过程;所需的爬电距离比金属体要求求的短,进一步节省了板空间,更利于工程的设计和电气认证的通过;
- 属于微孔结构,本身不储热,具有散热的多向性,更适合于多向性散热的IC封装方式;
产品主要应用:
H.SAC陶瓷制品主要应用于集成电路、芯片、中央处理器、金属氧化物半导体、南桥芯片、LED散热器、网络设备、电源模块、功率晶体管、内存产品等
产品性能参数表
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规格项目
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单位
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数值
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测试规范/说明1
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测试规范/说明2
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颜色
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浅绿色/黑色
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比重
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g/cm3
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1.9
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/
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孔隙率
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%
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>30
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GB/T 3810.3-2006
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ASTM C 373
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体积密度
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g/cm3
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1.7~1.9
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GB/T 3810.3-2006
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ASTM C 373
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比表面积(多点BET)
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cm2/g
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464629
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BET (V-Sorb 2800 P)
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/
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BJH中孔吸附
平均孔直径
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nm
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11.10
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BET (V-Sorb 2800 P)
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/
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孔隙体积
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cm3/g
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0.12
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BET (V-Sorb 2800 P)
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/
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机械特性
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莫氏硬度
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Mohs
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5~6
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DIN EN101-1992
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/
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弯曲强度
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MPa
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>90
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GB/T 14389-14390
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ASTM C 1674-08
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吸水率
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%
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>15
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ASTM D 570-98
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/
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热传导系数
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w/mk
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> 9
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HOT DISK
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ISO-DIS22007-2.2
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热扩散系数
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mm2/s
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2.80
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HOT DISK
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比热
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MJ/ m3K
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2.62
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HOT DISK
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线性热膨胀系数
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10-6m/℃
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4.02@ RT~300℃
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GB/T 16920-1997
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ASTM C 372
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操作温度
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℃
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< 700
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/
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/
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材料特性
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碳化硅
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%
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90
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/
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/
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